Indium Gallium Arsenide 发音
释义 Definition
砷化铟镓 (常写作 InGaAs ):一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,主要由铟(In) 、镓(Ga) 与砷(As) 组成(通常指 In_xGa_{1−x}As 的合金)。它常用于红外探测器、光通信器件、激光器、以及高速电子器件 等领域。(注:在材料科学中,它也可指不同成分比例的系列材料。)
发音 Pronunciation (IPA)
/ˈɪndiəm ˈɡæliəm ɑːrˈsɛnaɪd/
例句 Examples
Indium gallium arsenide is used in infrared cameras.
砷化铟镓用于红外摄像机。
Because indium gallium arsenide has a tunable bandgap, it is widely used in fiber‑optic communications and high‑speed photodetectors.
由于砷化铟镓的带隙可调,它被广泛用于光纤通信和高速光电探测器。
词源 Etymology
这是由三部分构成的材料名称:
Indium(铟) :19世纪发现元素时,因光谱中呈现靛蓝色(indigo) 线而得名。
Gallium(镓) :以拉丁文 Gallia(高卢/法国) 命名。
Arsenide(砷化物) :来自 arsenic(砷) ,后缀 -ide 表示“与某元素形成的化合物/阴离子化合物”,在化学命名中常见。
相关词 Related Words
文学与著作中的用例 Literary / Notable Works
S. M. Sze & K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices (经典半导体器件教材中常讨论Ⅲ-Ⅴ族材料体系与相关器件背景,InGaAs 在相关章节与应用语境中出现)
B. E. A. Saleh & M. C. Teich, Fundamentals of Photonics (光电探测与通信材料语境中常涉及 InGaAs 探测器)
期刊:IEEE Journal of Quantum Electronics 、Applied Physics Letters 、Journal of Applied Physics (大量关于 InGaAs 光电器件、外延生长与器件性能的论文中频繁出现该术语)